抗黏劑蒸鍍機 抗粘劑涂膠機 硅烷氣相鍍膜機通過精確控制烘箱溫度（100-200℃）、處理時長及保持時間等參數，使氮烷（HMDS六甲基二硅胺烷、乙烯基三甲氧基硅烷、PFTS三氯硅烷）沉積在襯底表面，生成疏水性的保護層，，將親水基片轉化為疏水性。該過程有效增大處理后的基片接觸角，減少光刻膠使用量約30%，同時提升膠層與基片的黏附強度?。
?表面改性機制?
預處理系統通過精確控制烘箱溫度（100-200℃）、處理時長及保持時間等參數，使氮烷（HMDS六甲基二硅胺烷、乙烯基三甲氧基硅烷、PFTS三氯硅烷）沉積在襯底表面，生成疏水性的保護層，，將親水基片轉化為疏水性。該過程有效增大處理后的基片接觸角，減少光刻膠使用量約30%，同時提升膠層與基片的黏附強度?。
?真空環境協同作用?
設備通過真空泵建立133Pa低氣壓環境，結合氮氣置換技術，消除氧氣對化學反應的干擾?。三面加熱系統維持工藝溫度恒溫，確保硅烷蒸汽均勻分布在基片表面，完成高效化學鍵合?。
?工藝優化必要性?
半導體光刻工藝中，硅片表面殘留的羥基和水分會導致光刻膠脫粘，引發顯影液滲透、浮膠等問題?。HMDS預處理通過表面疏水化改造，阻斷顯影液侵蝕路徑，使正膠工藝的圖形轉移成功率提升40%以上?。
?智能化操作優勢?
集成自動HMDS加注系統和微電腦控溫模塊，實現真空抽排、氮氣置換、溫度控制的全流程自動化?。一鍵式操作界面支持5組程序存儲，滿足2英寸至12英寸晶圓的差異化處理需求?。
| 參數類別 | 規格指標 |
|---|---|
| 電源配置 | AC220V±10%/50Hz±2% |
| 熱力系統 | 2000W加熱功率，±0.5℃波動度 |
| 真空性能 | 極限真空133Pa（1torr） |
| 處理空間 | 450450450mm標準腔體（支持定制） |
該設備采用316L醫用不銹鋼腔體，配置PID智能溫控和觸摸屏人機界面，確保半導體級工藝穩定性?。
